一般的質問

トランスデューサーを消磁することはできますか？

磁気的オフセットを除去するには消磁が必要です。消磁サイクルには、低周波AC電源を用いてコアに全B-Hループを通過させ励磁レベルを徐々に下げてB-H動作点を原点まで戻すことが必要となります。最低でも最大振幅で5サイクル実行し、次に励磁レベルをサイクル当り4％を超えない速さで、円滑に減少させます。60 Hzでは30サイクルまたは500 msを要します。

クローズドループデバイスの場合は、補償コイルが消磁効果を無効にしないようにさらに注意が必要です。もう一つの方法として、励磁と逆の極性の適切な信号を施すことによってコアを部分的に消磁することも可能です。困難な点は、満足すべき結果を得るための正確な振幅と持続時間を定めることにあります。明確に定められた用途の場合には、経験的に必要な値を決定し、必要に応じて修正を施すことが可能でしょう。

負担抵抗（Rm）に制限があるのはなぜですか？

電流出力を与える電圧・電流変換器には出力に負担抵抗（Rm - 測定用抵抗とも呼ばれる）が接続されていることが必要です。トランスデューサーに動作させ最高の性能を得るためにはるためには、この抵抗が規定の範囲内になければなりません。

最低抵抗値はトランスデューサーの出力段を熱保護するように設定されます。ある種のトランスデューサーの場合にはこの抵抗値は0Ωになることもあります。最高抵抗値はトランスデューサーが定められた電流／電圧測定範囲を持つように設定されます。規定のものより高い抵抗を接続すれば、トランスデューサーの測定範囲が下がります。トランスデューサーのデータシートに規定の値より高いかあるいは低い抵抗が必要な場合には、担当の技術サポート係にご連絡ください。アプリケーションデータによって計算値が異なってきます。

反応時間（Tra）はどのように測定するのですか？

LEMでは反応時間（Tra）をIN（公称電流）の全変動の10％で取った入力信号の立ち上がり時間からの出力信号の立ち上がり時間の遅れと定義しています。

応答時間（tr）はどのように測定するのですか？

LEMでは応答時間（tr）をIN（公称電流）の全変動の90％で取られた入力信号の立ち上がり時間からの出力信号の立ち上がり時間の遅れと定義しています。

トランスデューサーにASICを使用するメリットは？

ASIC（特定用途向け集積回路）は、その名が示すとおり、それだけで特定のいくつかの機能を果たすように設計された集積回路です。ASICが提供する利点には次のようなものがあります:

低電圧電源（例： +5 V単独）
精度とドリフトの改善
不安全な環境下での動作の改善
小型化

単極電流を備えたトランスデューサーはどのように動作しますか？

LEMのクローズドループトランスデューサーの大半は両極性の電源（例えば±15 V）と併用する設計になっています。しかしながら、ほとんどのトランスデューサーは、一方向電流の測定の場合に、単極電源でも動作可能です。この場合には以下のことを考慮に入れなければいけません:

電源電圧はデータシートに示された正の電圧と負の電圧の（絶対値の）和に等しくなければならない（例えば、±15 V製品は+30 Vの電源供給で動作しなければならない）。
測定用抵抗と最大電流の選択の結果として、トランスデューサーの出力段で過度の電力損失があってはならない（正しい測定用抵抗の評価については、遠慮なくLEMにお問い合わせください）。
出力段は両極性電源と併用する設計になっており、測定補償を行なわずに最小出力バイアス電圧が得られるように、ダイオードを出力と直列に接続する必要があります（下図参照）。

負担抵抗（Rm）の機能は？

負担抵抗は多くの場合クローズドループに基づくトランスデューサーと併用する設計になっています。

クローズドループトランスデューサーは出力信号を発生する一体型電流発生装置を備えています。負担抵抗は特定の用途に対して、最善の電流－電圧比が得られるように設定されます。

電流信号はまた外乱から受ける影響がずっと少ないですが、これはトランスデューサーとその信号を処理する制御回路との距離がいくらか離れている場合には重要なことです。

直線性はどのように測定するのですか？

直線性とは全電流範囲に対する定格電流の誤差のパーセンテージになります（下図参照）。

トランスデューサー選択時に考慮すべきパラメータは？

トランスデューサーとシステム設計の選択の際にはその用途のすべての面を考慮に入れなければなりません。また次の点にも特に注意が必要です:

電源、ピーク測定、応答時間、di/dtおよびdv/dtなどの電気的要求事項
アパーチャーサイズ、全体寸法、重量、材質、取り付けおよび振動などの機械的要求事項
電流プロフィール時間特性、最大RMS測定、熱抵抗および冷却などの温熱条件
振動、動作温度範囲および他の導体または磁場との距離などの環境条件

電流変換器の磁化はどのようにすれば防げますか？

電流変換器が磁化してしまうと、オフセットが出力信号に加わり測定値が不正確になります。この磁化は次のような場合に起こります:

トランスデューサーの過負荷
電源不足

磁化によって生じるオフセットは次の場合に消失します:

磁性体はゆっくりもとの状態に戻るので、その材質によっても異なりますが、ある一定の時間が経過すれば自然に消失します（これは非常に遅いプロセスです）。
減少サイナス電流信号をトランスデューサーに入力して消磁を実行する（最適設定については弊社技術サポートにお問い合わせください）。

トランスデューサーの電源はどのように決定すべきですか？

クローズドループ技術採用のトランスデューサーだけが、電源決定時に特別な注意を必要とします。他のすべての技術については、消費電流はデータシートに記載されています。

クローズドループ電流・電圧変換器の動作原理により、消費電流は2つのバージョン、即ち一定バージョンと被測定電流・電圧で変わるバージョンに分類されます。

被測定電流・電圧に左右されるバージョンは、クローズドループ原理により、以下に示したように定められます:

電流変換器の場合：　I = ピーク一次電流×巻数比
電圧変換器の場合：　I = （ピーク一次電流／一次抵抗）×巻数比

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